文献
J-GLOBAL ID:200902138569016197
整理番号:00A0114782
GaN/AlNバッファが付いた(0001)6H-SiC上にMOVPEにより成長させたAlN層における歪制御の可能性
Possibility of Strain Control in AlN Layer Grown by MOVPE on (0001) 6H-SiC with GaN/AlN Buffer.
著者 (8件):
KURIMOTO M
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
NAKADA T
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
ISHIHARA Y
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
SHIBATA M
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
TAKANO T
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
YAMAMOTO J
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
HONDA T
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
KAWANISHI H
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻:
176
号:
1
ページ:
665-669
発行年:
1999年11月16日
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
0031-8965
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)