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著者 (8件)：
資料名：
巻： 369 号： 1/2 ページ： 116-120 発行年： 2000年07月03日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902138615413015
整理番号：00A0710547
固相エピタクシーでのSi(111)上におけるGeの核形成と成長
Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy.
SUZUMURA I
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OKADA M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MUTO A
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TORIGE Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
IKEDA H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SAKAI A
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YASUDA Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 369 号： 1/2 ページ： 116-120 発行年： 2000年07月03日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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