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著者 (4件)：
資料名：
巻： 39 号： 4B ページ： 2194-2197 発行年： 2000年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902139152503750
整理番号：00A0544423
SiO2/Si界面のドーパント蓄積低減によるアンチモンドープ極浅接合シート抵抗の改良
Improvement in Antimony-Doped Ultrashallow Junction Sheet Resistance by Dopant Pileup Reduction at the SiO2/Si Interface.
SHIBAHARA K
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
EGUSA K
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
KAMESAKI K
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
FURUMOTO H
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 4B ページ： 2194-2197 発行年： 2000年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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