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著者 (2件)：
資料名：
巻： 21 号： 6 ページ： 348-354 発行年： 2000年06月10日
JST資料番号： F0940B ISSN： 0388-5321 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：200902139172763332
整理番号：00A0582071
格子不整合系におけるエピタキシー SiGeC界面緩衝層を用いた3C-SiC/Siヘテロエピタキシー
Epitaxy in Lattice-Mismatched Systems. Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using SiGeC Buffer Layer.
冬木隆
(奈良先端科学技術大学院大)
,
畑山智亮
(奈良先端科学技術大学院大)
資料名：
表面科学
(JSSSJ)
巻： 21 号： 6 ページ： 348-354 発行年： 2000年06月10日
JST資料番号： F0940B ISSN： 0388-5321 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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