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文献
J-GLOBAL ID:200902139172763332   整理番号:00A0582071

格子不整合系におけるエピタキシー SiGeC界面緩衝層を用いた3C-SiC/Siヘテロエピタキシー

Epitaxy in Lattice-Mismatched Systems. Heteroepitaxy of 3C-SiC on Si Using SiGeC Buffer Layer.
著者 (2件):
冬木隆
(奈良先端科学技術大学院大)
畑山智亮
(奈良先端科学技術大学院大)

資料名:
表面科学  (JSSSJ)

巻: 21  号:ページ: 348-354  発行年: 2000年06月10日 
JST資料番号: F0940B  ISSN: 0388-5321  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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