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資料名：
巻： J85-C 号： 8 ページ： 684-691 発行年： 2002年08月01日
JST資料番号： S0623C ISSN： 1345-2827 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：200902139290138108
整理番号：02A0659930
低温poly-Si TFTのホットキャリヤ効果による相互コンダクタンス,及びしきい値電圧の劣化 LDD構造,及びSD(シングルドレーン)構造TFTの比較
Hot-Carrier Induced Degradation of Transconductance and Threshold Voltage in Low-Temperature Poly-Si TFTs. Comparison of LDD and SD (Single-Drain) Poly-Si TETs.
丹呉浩ゆき
(東京工芸大 工)
,
今井義浩
(東京工芸大 工)
,
佐藤利文
(東京工芸大 工)
,
日下部陽子
(東京工芸大 工)
,
山家郁恵
(東京工芸大 工)
資料名：
電子情報通信学会論文誌 C
(IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J85-C 号： 8 ページ： 684-691 発行年： 2002年08月01日
JST資料番号： S0623C ISSN： 1345-2827 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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