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著者 (3件)：
資料名：
巻： 38 号： 6A ページ： 3440-3447 発行年： 1999年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902139367364718
整理番号：99A0609559
Czochralski成長シリコンウエハ中の酸素析出物周辺における局所的格子歪の集束電子ビーム回折法による解析
Analysis of Local Lattice Strain Around Oxygen Precipitates in Czochralski-Grown Silicon Wafers Using Convergent Beam Electron Diffraction.
YONEMURA M
(Sumitomo Metal Ind., Ltd., Amagasaki, JPN)
,
SUEOKA K
(Sumitomo Metal Ind., Ltd., Amagasaki, JPN)
,
KAMEI K
(Sumitomo Metal Ind., Ltd., Amagasaki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 6A ページ： 3440-3447 発行年： 1999年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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