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著者 (3件)：
資料名：
巻： 32 号： 9B ページ： L1293-L1296 発行年： 1993年09月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902139381536742
整理番号：93A0921631
制限視野有機金属化学蒸着法によって成長させた新しい六角形ファセットGaAs/AlGaAsレーザ
Novel Hexagonal-Facet GaAs/AlGaAs Laser Grown by Selective Area Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
ANDO S
(NTT Basic Research Lab., Tokyo)
,
KOBAYASHI N
(NTT Basic Research Lab., Tokyo)
,
ANDO H
(NTT Basic Research Lab., Tokyo)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 32 号： 9B ページ： L1293-L1296 発行年： 1993年09月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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