文献
J-GLOBAL ID:200902139514215618
整理番号:98A0793935
ピエゾ電場がGaN/AlGaN量子井戸における放射特性にもたらす影響
Effect of piezo electric field on emission characteristics in GaN/AlGaN quantum wells.
著者 (6件):
HONDA T
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
MIYAMOTO T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
SAKAGUCHI T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAWANISHI H
(Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
KOYAMA F
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
IGA K
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
189/190
ページ:
644-647
発行年:
1998年06月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)