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文献
J-GLOBAL ID:200902140006704393   整理番号:97A0775194

Ga2S3前駆物質を用いた多重源蒸着により作製したCe活性化SrS薄膜エレクトロルミネセンス素子

Ce-Activated SrS Thin Film Electroluminescent Devices Fabricated by Multi Source Deposition Using Ga2S3 Precursor.
著者 (5件):
INOUE Y
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
TANAKA K
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
OKAMOTO S
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
KOBAYASHI K
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
TAKIZAWA K
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 36  号: 7A  ページ: 4335-4338  発行年: 1997年07月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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