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著者 (5件)：
資料名：
巻： 36 号： 7A ページ： 4335-4338 発行年： 1997年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902140006704393
整理番号：97A0775194
Ga2S3前駆物質を用いた多重源蒸着により作製したCe活性化SrS薄膜エレクトロルミネセンス素子
Ce-Activated SrS Thin Film Electroluminescent Devices Fabricated by Multi Source Deposition Using Ga2S3 Precursor.
INOUE Y
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
TANAKA K
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
OKAMOTO S
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
KOBAYASHI K
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
TAKIZAWA K
(NHK Sci. and Technical Res. Lab., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 7A ページ： 4335-4338 発行年： 1997年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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