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著者 (5件)：
資料名：
巻： 35 号： 2B ページ： 812-817 発行年： 1996年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902140291155969
整理番号：96A0443695
金属-酸化物-半導体の大規模集積回路中のゲート酸化物欠陥の起源としての八面体構造の巨大析出物
Octahedral-Structured Gigantic Precipitates as the Origin of Gate-Oxide Defects in Metal-Oxide-Semiconductor Large-Scale-Integrated Circuits.
ITSUMI M
(NTT, Kanagawa, JPN)
,
AKIYA H
(NTT, Kanagawa, JPN)
,
UEKI T
(NTT, Kanagawa, JPN)
,
TOMITA M
(NTT, Tokyo, JPN)
,
YAMAWAKI M
(NTT, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 35 号： 2B ページ： 812-817 発行年： 1996年02月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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