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著者 (6件)：
資料名：
巻： 40 号： 11 ページ： 6658-6662 発行年： 2001年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902141073196560
整理番号：02A0058586
極端紫外リソグラフィー用の化学増幅を利用した表面シリル化単層レジスト II 液相からのSi化合物の制限された透過
A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep Ultraviolet Lithography: II. Limited Permeation of Si Compounds from Liquid Phase.
SUGITA K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
YAMASHITA M
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
LIEW C M
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
HARADA K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
KUSHIDA M
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
SAITO K
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 11 ページ： 6658-6662 発行年： 2001年11月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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