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著者 (3件)：
資料名：
巻： 80 号： 10 ページ： 1844-1846 発行年： 2002年03月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902141683561023
整理番号：02A0276221
GaAs接合形電界効果トランジスタの極低温における低周波雑音の低減方法
Reduction method for low-frequency noise of GaAs junction field-effect transistor at a cryogenic temperature.
FUJIWARA M
(Communications Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
SASAKI M
(Communications Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
AKIBA M
(Communications Res. Lab., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 80 号： 10 ページ： 1844-1846 発行年： 2002年03月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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