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著者 (7件)：
資料名：
巻： 40 号： 6B ページ： L583-L585 発行年： 2001年06月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902141838044853
整理番号：01A0733988
有機金属気相エピタクシーを用いてパターン化した基板上に作製した高出力のInGaNの紫外発光ダイオード
High Output Power InGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
TADATOMO K
(Mitsubishi Cable Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
OKAGAWA H
(Mitsubishi Cable Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
OHUCHI Y
(Mitsubishi Cable Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
TSUNEKAWA T
(Mitsubishi Cable Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
IMADA Y
(Mitsubishi Cable Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
KATO M
(Stanley Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN)
,
TAGUCHI T
(Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 6B ページ： L583-L585 発行年： 2001年06月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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