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資料名：
巻： 67 号： 10 ページ： 1435-1437 発行年： 1995年09月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902141905162947
整理番号：95A0818816
GaNのイオン注入ドーピングとアイソレーション
Ion implantation doping and isolation of GaN.
PEARTON S J
(Univ. Florida, Florida)
,
VARTULI C B
(Univ. Florida, Florida)
,
ZOLPER J C
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
YUAN C
(EMCORE Corp., New Jersey)
,
STALL R A
(EMCORE Corp., New Jersey)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 67 号： 10 ページ： 1435-1437 発行年： 1995年09月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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