文献
J-GLOBAL ID:200902142432463584
整理番号:94A0540266
水素原子のイオン注入による酸化亜鉛薄膜の伝導率の増大
Enhanced conductivity of zinc oxide thin films by ion implantation of hydrogen atoms.
著者 (4件):
KOHIKI S
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Kyoto, JPN)
,
NISHITANI M
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Kyoto, JPN)
,
WADA T
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Kyoto, JPN)
,
HIRAO T
(Matsushita Electric Industrial Co. Ltd., Kyoto, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
64
号:
21
ページ:
2876-2878
発行年:
1994年05月23日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)