文献
J-GLOBAL ID:200902142584973570
整理番号:94A0202852
電子サイクロトロン共鳴(ECR)水素プラズマで清浄化したGaAs基板上におけるAlGaAs/GaAs単一量子井戸の直接成長
Direct Growth of AlGaAs/GaAs single Quantum Wells on GaAs Substrates Cleaned by Electron Cyclotron Resonance (ECR) Hydrogen Plasma.
著者 (3件):
KONDO N
(NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa)
,
NANISHI Y
(NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa)
,
FUJIMOTO M
(NTT Opto-electronics Lab., Kanagawa)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
33
号:
1B
ページ:
L91-L93
発行年:
1994年01月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)