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資料名：
巻： 38 号： 10A ページ： L1134-L1136 発行年： 1999年10月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902143036208209
整理番号：99A0991402
ビス-エチルシクロペンタジエニルルテニウムを用いた液体源化学蒸着により作製したルテニウム薄膜
Ruthenium Films Prepared by Liquid Source Chemical Vapor Deposition Using Bis-(ethylcyclopentadienyl)ruthenium.
AOYAMA T
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
EGUCHI K
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 10A ページ： L1134-L1136 発行年： 1999年10月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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