文献
J-GLOBAL ID:200902143319658847
整理番号:98A0528822
II-VIワイドバンドギャップ半導体合金としてのMgxZn1-xO
MgxZn1-xO as a II-VI widegap semiconductor alloy.
著者 (9件):
OHTOMO A
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAWASAKI M
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOIDA T
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
MASUBUCHI K
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KOINUMA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
SAKURAI Y
(Toyo Univ., Kawagoe, JPN)
,
YOSHIDA Y
(Toyo Univ., Kawagoe, JPN)
,
YASUDA T
(Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN)
,
SEGAWA Y
(Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
72
号:
19
ページ:
2466-2468
発行年:
1998年05月11日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)