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著者 (3件)：
資料名：
巻： 32 号： 4 ページ： 1528-1533 発行年： 1993年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902143715518292
整理番号：93A0461975
気相エピタクシーでサファイア上に成長させたGaNのヘテロ構造における熱応力の緩和機構
Relaxation Mechanism of Thermal Stresses in the Heterostructure of GaN Grown on Sapphire by Vapor Phase Epitaxy.
HIRAMATSU K
(Nagoya Univ., Nagoya)
,
DETCHPROHM T
(Nagoya Univ., Nagoya)
,
AKASAKI I
(Meijo Univ., Nagoya)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 32 号： 4 ページ： 1528-1533 発行年： 1993年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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