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著者 (7件)：
資料名：
巻： 79 号： 19 ページ： 3062-3064 発行年： 2001年11月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902144001712180
整理番号：01A1048364
亀裂がないAlNとGaNの有機金属気相エピタクシー成長と高移動度AlN/GaN超格子への応用
Metalorganic vapor phase epitaxy growth of crack-free AlN on GaN and its application to high-mobility AlN/GaN superlattices.
YAMAGUCHI S
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
KOSAKI M
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
WATANABE Y
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
YUKAWA Y
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
NITTA S
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AMANO H
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
AKASAKI I
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 19 ページ： 3062-3064 発行年： 2001年11月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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