文献
J-GLOBAL ID:200902144609999237
整理番号:97A0831421
高性能多結晶シリコンTFT’s実現のための制御した二段階固相結晶化
Controlled Two-Step Solid-Phase Crystallization for High-Performance Polysilicon TFT’s.
著者 (5件):
SUBRAMANIAN V
(Stanford Univ., CA, USA)
,
DANKOSKI P
(Stanford Univ., CA, USA)
,
DEGERTEKIN L
(Stanford Univ., CA, USA)
,
KHURI-YAKUB B T
(Stanford Univ., CA, USA)
,
SARASWAT K C
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
18
号:
8
ページ:
378-381
発行年:
1997年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)