文献
J-GLOBAL ID:200902144646176690
整理番号:02A0068088
温度勾配をもつ金属溶液からのシリコン薄膜の横方向成長に関する研究
Study on the lateral growth of silicon films from metal solutions with temperature gradient.
著者 (6件):
KITA K
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
WEN C-J
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
OTOMO J
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YAMADA K
(Shinshu Univ., Nagano, JPN)
,
KOMIYAMA H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAHASHI H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
234
号:
1
ページ:
153-158
発行年:
2002年01月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)