Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (8件)：
資料名：
巻： 87 号： 7 ページ： 3375-3380 発行年： 2000年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902144682317551
整理番号：00A0437039
サファイア上にプラズマ誘起分子線エピタクシー法および有機金属化学蒸着法で成長させたGa面およびN面AlGaN/GaNヘテロ構造における二次元電子ガス
Two-dimensional electron gases in Ga-face and N-face AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-induced molecular beam epitaxy and metalorganic chemical vapor deposition on sapphire.
DIMITROV R
(Cornell Univ., New York)
,
MURPHY M
(Cornell Univ., New York)
,
SMART J
(Cornell Univ., New York)
,
SCHAFF W
(Cornell Univ., New York)
,
SHEALY J R
(Cornell Univ., New York)
,
EASTMAN L F
(Cornell Univ., New York)
,
AMBACHER O
(TU Munich, Garching, DEU)
,
STUTZMANN M
(TU Munich, Garching, DEU)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 87 号： 7 ページ： 3375-3380 発行年： 2000年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。