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文献
J-GLOBAL ID:200902144694034423   整理番号:03A0088357

新しい巨大磁気抵抗薄膜不揮発性抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)

Novell Colossal Magnetoresistive Thin Film Nonvolatile Resistance Random Access Memory (RRAM).
著者 (9件):
ZHUANG W W
(Sharp Lab. America, WA, USA)
PAN W
(Sharp Lab. America, WA, USA)
HSU S T
(Sharp Lab. America, WA, USA)
TAJIRI M
(Sharp Corp., Nara, JPN)
SHIMAOKA A
(Sharp Corp., Nara, JPN)
SAKIYAMA K
(Sharp Corp., Nara, JPN)
WANG Y
(Univ. Houston, Texas, USA)
LIU S Q
(Univ. Houston, Texas, USA)
IGNATIEV A
(Univ. Houston, Texas, USA)

資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

巻: 2002  ページ: 193-196  発行年: 2002年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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