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資料名：
巻： 79 号： 7 ページ： 955-957 発行年： 2001年08月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902145035939296
整理番号：01A0865239
(111)Si基板に横方向被覆成長させたGaNの構造的評価
Structural characterization of GaN laterally overgrown on a (111)Si substrate.
TANAKA S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HONDA Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SAWAKI N
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HIBINO M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 79 号： 7 ページ： 955-957 発行年： 2001年08月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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