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資料名：
巻： 39 号： 7B ページ： 4408-4411 発行年： 2000年07月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902145093666941
整理番号：00A0795792
急冷したSi(111)表面上の最小の二量体-吸着原子-積層欠陥ドメインの走査型トンネル顕微鏡観察
Scanning Tunneling Microscopy Observation of the Formation of the Smallest Dimer-Adatom-Stacking-fault Domain on a Quenched Si(111) Surface.
SHIMADA W
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
TOCHIHARA H
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
SATO T
(JEOL Ltd., Tokyo, JPN)
,
IWATSUKI M
(JEOL Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39 号： 7B ページ： 4408-4411 発行年： 2000年07月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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