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著者 (5件)：
資料名：
巻： 12 号： 4 ページ： 375-378 発行年： 2000年
JST資料番号： L0590A ISSN： 0915-5651 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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文献
J-GLOBAL ID：200902145322320795
整理番号：01A0605518
無添加およびSbI3添加Bi2Te3の気相成長
Gas phase crystal growth of pure and SbI3 doped Bi2Te3.
OHSUGI I J
(Salesian Polytechnic, Tokyo, JPN)
,
KOJIMA T
(Salesian Polytechnic, Tokyo, JPN)
,
KAIBE H T
(Komatsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SHIOTA I
(Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
,
NISHIDA I A
(Kogakuin Advanced Materials Center, Tokyo, JPN)
資料名：
Journal of Advanced Science
(Journal of Advanced Science)
巻： 12 号： 4 ページ： 375-378 発行年： 2000年
JST資料番号： L0590A ISSN： 0915-5651 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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