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著者 (5件)：
資料名：
巻： 77 号： 1 ページ： 139-141 発行年： 2000年07月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902145583649727
整理番号：00A0726012
酸化物薄膜の再現性あるスイッチング効果とメモリへの応用
Reproducible switching effect in thin oxide films for memory applications.
BECK A
(IBM Res., Rueschlikon, CEH)
,
BEDNORZ J G
(IBM Res., Rueschlikon, CEH)
,
GERBER C
(IBM Res., Rueschlikon, CEH)
,
ROSSEL C
(IBM Res., Rueschlikon, CEH)
,
WIDMER D
(IBM Res., Rueschlikon, CEH)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 1 ページ： 139-141 発行年： 2000年07月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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