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文献
J-GLOBAL ID:200902145947839977   整理番号:96A0797041

大容量記憶装置用3.3V・128Mb多値NANDフラッシュメモリ

TP 2.1: A 3.3V 128Mb Multi-Level NAND Flash Memory for Mass Storage Applications.
著者 (9件):
JUNG T-S
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
CHOI Y-J
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
SUH K-D
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
KIM J-K
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
LIM Y-H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
KOH Y-N
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
KIM J-R
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
LEE J-H
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)
LIM H-K
(Samsung Electronics Co., Ltd., Kiheung, KOR)

資料名:
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)

巻: 39  ページ: 32-33,412  発行年: 1996年02月 
JST資料番号: D0753A  ISSN: 0193-6530  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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