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著者 (5件)：
資料名：
巻： 77 号： 4 ページ： 531-533 発行年： 2000年07月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902146087855330
整理番号：00A0858649
SiC(0001)上のカーボンナノチューブの形成機構
A formation mechanism of carbon nanotube films on SiC(0001).
KUSUNOKI M
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
SUZUKI T
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
HIRAYAMA T
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
SHIBATA N
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
KANEKO K
(Univ. Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 4 ページ： 531-533 発行年： 2000年07月24日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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