文献
J-GLOBAL ID:200902147023594059
整理番号:02A0642857
2重障壁共鳴トンネリングダイオードの低電流及び低電圧領域の電流-電圧特性の位相コヒーレンスと温度依存性
Phase Coherence and Temperature Dependence of Current-Voltage Characteristics at Low-Current and Low-Voltage Region of Double-Barrier Resonant-Tunneling Diode.
著者 (4件):
MACHIDA N
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
NAGATSUKA H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
NAGASE M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
FURUYA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
41
号:
7A
ページ:
4469-4473
発行年:
2002年07月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)