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文献
J-GLOBAL ID:200902147023594059   整理番号:02A0642857

2重障壁共鳴トンネリングダイオードの低電流及び低電圧領域の電流-電圧特性の位相コヒーレンスと温度依存性

Phase Coherence and Temperature Dependence of Current-Voltage Characteristics at Low-Current and Low-Voltage Region of Double-Barrier Resonant-Tunneling Diode.
著者 (4件):
MACHIDA N
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
NAGATSUKA H
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
NAGASE M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
FURUYA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 41  号: 7A  ページ: 4469-4473  発行年: 2002年07月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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