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著者 (5件)：
資料名：
巻： 204 号： 3 ページ： 270-274 発行年： 1999年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902147065580449
整理番号：99A0747121
選択横方向被覆成長により(111)Si基板上に成長させた単結晶GaN角錐
Single-crystal GaN pyramids grown on (111)Si substrates by selective lateral overgrowth.
YANG W
(Honeywell Technol. Center, MN, USA)
,
MCPHERSON S A
(Honeywell Technol. Center, MN, USA)
,
MAO Z
(Univ. Minnesota, MN, USA)
,
MCKERNAN S
(Univ. Minnesota, MN, USA)
,
CARTER C B
(Univ. Minnesota, MN, USA)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 204 号： 3 ページ： 270-274 発行年： 1999年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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