文献
J-GLOBAL ID:200902147080541263
整理番号:96A0795745
Si/SiGep-i-nヘテロ構造のエレクトロルミネセンス,光ルミネセンス,および光電流
Electroluminescence, photoluminescence, and photocurrent studies of Si/SiGe p-i-n heterostructures.
著者 (8件):
FOERSTER M
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
MANTZ U
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
RAMMINGER S
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
THONKE K
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
SAUER R
(Univ. Ulm, Ulm, DEU)
,
KIBBEL H
(Daimler-Benz-Forschungszentrum, Ulm, DEU)
,
SCHAEFFLER F
(Daimler-Benz-Forschungszentrum, Ulm, DEU)
,
HERZOG H-J
(Daimler-Benz-Forschungszentrum, Ulm, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
80
号:
5
ページ:
3017-3023
発行年:
1996年09月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)