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著者 (3件)：
資料名：
巻： 36 号： 5A ページ： 2671-2675 発行年： 1997年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902147431568619
整理番号：97A0592117
有機金属化学気相堆積法により成長させたGaInNAs/GaInP二重ヘテロ構造レーザダイオードの室温動作
Room-Temperature Operation of GaInNAs/GaInP Double-Heterostructure Laser Diodes Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
SATO S
(Ricoh Co., Ltd., Miyagi, JPN)
,
OSAWA Y
(Ricoh Co., Ltd., Miyagi, JPN)
,
SAITOH T
(Ricoh Co., Ltd., Miyagi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36 号： 5A ページ： 2671-2675 発行年： 1997年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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