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著者 (9件)：
資料名：
巻： 37 号： 12B ページ： L1493-L1496 発行年： 1998年12月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902148504989649
整理番号：99A0143344
分子ビームエピタクシーによって作製したGaAs/Si/GaAs(100)ヘテロ構造中の副格子反転
Sublattice Reversal in GaAs/Si/GaAs (100) Heterostructures by Molecular Beam Epitaxy.
KOH S
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
KONDO T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ISHIWADA T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IWAMOTO C
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ICHINOSE H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
YAGUCHI H
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
USAMI T
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SHIRAKI Y
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
ITO R
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37 号： 12B ページ： L1493-L1496 発行年： 1998年12月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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