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J-GLOBAL ID：200902150359723435 整理番号：97A1011569

低温成長GaAsと半絶縁性GaAsを用いる光伝導性アンテナの放射特性

Emission characteristics of photoconductive antennas based on low-temperature-grown GaAs and semi-insulating GaAs.

著者 (4件)：

TANI M

(Communications Res. Lab., Hyogo, JPN)

MATSUURA S

(Communications Res. Lab., Hyogo, JPN)

SAKAI K

(Communications Res. Lab., Hyogo, JPN)

NAKASHIMA S

(Osaka Univ., Osaka, JPN)

資料名：

Applied Optics (Applied Optics)

巻： 36 号： 30 ページ： 7853-7859 発行年： 1997年10月20日
JST資料番号： B0026B ISSN： 1559-128X CODEN： APOPAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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