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資料名：
巻： 90 号： 1 ページ： 202-208 発行年： 2001年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902150753597178
整理番号：01A0767574
ステップ傾斜短周期(SimGen)N超格子を使ってSi(001)基板上に成長させたSi0.75Ge0.25合金層の成長
Growth of Si0.75Ge0.25 alloy layers grown on Si(001) substrates using step-graded short-period(Sim/Gen)N superlattices.
RAHMAN M M
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
MATADA H
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
TAMBO T
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
TATSUYAMA C
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 90 号： 1 ページ： 202-208 発行年： 2001年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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