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著者 (6件)：
資料名：
巻： 2000 ページ： 176-177 発行年： 2000年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902150753954892
整理番号：00A0897589
超薄ゲート酸化膜の信頼性改善のためのラジカル酸化の利点
Advantage of Radical Oxidation for Improving Reliability of Ultra-Thin Gate Oxide.
SAITO Y
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SEKINE K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
UEDA N
,
HIRAYAMA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUGAWA S
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHMI T
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2000 ページ： 176-177 発行年： 2000年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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