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著者 (7件)：
資料名：
巻： 75 号： 19 ページ： 2909-2911 発行年： 1999年11月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902150832154222
整理番号：00A0001742
低い貫通転位密度のSi上の高品質Geエピ層
High-quality Ge epilayers on Si with low threading-dislocation densities.
LUAN H-C
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
LIM D R
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
LEE K K
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
CHEN K M
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
SANDLAND J G
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
WADA K
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
KIMERLING L C
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 19 ページ： 2909-2911 発行年： 1999年11月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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