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著者 (5件)：
資料名：
巻： 41 号： 11B ページ： 6814-6819 発行年： 2002年11月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902151193865526
整理番号：03A0050128
エキシマUV照射を利用したBi4-xLaxTi3O12強誘電体薄膜の調製と特性
Preparation and Properties of Bi4-xLaxTi3O12 Ferroelectric Thin Films Using Excimer UV Irradiation.
HAYASHI T
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
TOGAWA D
(Shonan Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
,
YAMADA M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SAKAMOTO W
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HIRANO S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41 号： 11B ページ： 6814-6819 発行年： 2002年11月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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