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著者 (8件)：
資料名：
巻： 47 号： 2 ページ： 354-359 発行年： 2000年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902151310604763
整理番号：00A0330911
超薄SOI n-MOSFETの高度に抑制された短チャネル効果
Highly Suppressed Short-Channel Effects in Ultrathin SOI n-MOSFET’s.
SUZUKI E
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
ISHII K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
KANEMARU S
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
MAEDA T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
TSUTSUMI T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
SEKIGAWA T
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
NAGAI K
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
,
HIROSHIMA H
(Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47 号： 2 ページ： 354-359 発行年： 2000年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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