文献
J-GLOBAL ID:200902151319072489
整理番号:01A0078752
多孔質シリカ膜のCVD法による作製
Chemical Vapor Deposition Based Preparation on Porous Silica Films.
著者 (4件):
UCHIDA Y
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
,
KATOH T
(Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN)
,
SUGAHARA S
(Tokyo Inst. Technol, Tokyo, JPN)
,
MATSUMURA M
(Tokyo Inst. Technol, Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
39
号:
11B
ページ:
L1155-L1157
発行年:
2000年11月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)