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著者 (4件)：
資料名：
巻： 40 号： 7B ページ： L735-L737 発行年： 2001年07月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902151500399694
整理番号：01A0728453
埋込みタングステン線を有するサブミクロンInP/GaInAsヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけるベース-コレクタ容量の低減
Reduction of Base-Collector Capacitance in Submicron InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Buried Tungsten Wires.
ARAI T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMAGAMI S
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MIYAMOTO Y
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
FURUYA K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 7B ページ： L735-L737 発行年： 2001年07月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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