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著者 (8件)：
資料名：
巻： 48 号： 3 ページ： 552-559 発行年： 2001年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902151537717645
整理番号：01A0523888
GaN系の高出力ヘテロ接合電界効果トランジスタ UCSBにおけるプロセス開発と現状
Gallium Nitride Based High Power Heterojunction Field Effect Transistors: Process Development and Present Status at UCSB.
KELLER S
(Univ. California, CA, USA)
,
WU Y-F
(Cree Lighting Co., CA, USA)
,
PARISH G
(Univ. California, CA, USA)
,
ZIANG N
(Univ. California, CA, USA)
,
XU J J
(Univ. California, CA, USA)
,
KELLER B P
(Cree Lighting Co., CA, USA)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA U K
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48 号： 3 ページ： 552-559 発行年： 2001年03月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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