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資料名：
巻： 68 号： 20 ページ： 2864-2866 発行年： 1996年05月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902151608567038
整理番号：96A0503704
低誘電定数の層間誘電体のためのヘリコンプラズマ促進化学気相成長法によって成長させたふっ化非晶質炭素薄膜
Fluorinated amorphous carbon thin films grown by helicon plasma enhanced chemical vapor deposition for low dielectric constant interlayer dielectrics.
ENDO K
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
,
TATSUMI T
(NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 20 ページ： 2864-2866 発行年： 1996年05月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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