文献
J-GLOBAL ID:200902151688331927
整理番号:01A0282646
イオンビーム合成したβ-FeSi2/n-Siヘテロ接合の光起電力特性
Photovoltaic properties of ion-beam synthesized β-FeSi2/n-Si heterojunctions.
著者 (5件):
MAEDA Y
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
UMEZAWA K
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
HAYASHI Y
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
MIYAKE K
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
OHASHI K
(Hitachi, Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
381
号:
2
ページ:
256-261
発行年:
2001年01月15日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)