文献
J-GLOBAL ID:200902153519339768
整理番号:97A1011403
シリコンの結晶方位を利用した一次元のナノ細線構造の作製とこれらのコンダクタンス特性
Fabrication of one-dimensional nanowire structures utilizing crystallographic orientation in silicon and their conductance characteristics.
著者 (4件):
NAMATSU H
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
HORIGUCHI S
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
NAGASE M
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
,
KURIHARA K
(NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
15
号:
5
ページ:
1688-1696
発行年:
1997年09月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)