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著者 (9件)：
資料名：
巻： 47 号： 12 ページ： 2320-2325 発行年： 2000年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902153644680650
整理番号：01A0257543
FinFET 20nmまで微細化できる自己整合二重ゲートMOSFET
FinFET. A Self-Aligned Double-Gate MOSFET Scalable to 20nm.
HISAMOTO D
(Hitachi Ltd., Tokyo)
,
LEE W-C
(Univ. California, CA, USA)
,
KEDZIERSKI J
(Univ. California, CA, USA)
,
TAKEUCHI H
(Univ. California, CA, USA)
,
ASANO K
(Univ. California, CA, USA)
,
KUO C
(Univ. California, CA, USA)
,
ANDERSON E
(Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
,
KING T-J
(Univ. California, CA, USA)
,
HU C
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47 号： 12 ページ： 2320-2325 発行年： 2000年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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