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資料名：
巻： 72 号： 16 ページ： 1987-1989 発行年： 1998年04月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902153679232900
整理番号：98A0447257
極薄二酸化けい素膜における走査トンネル顕微鏡による電流漏れサイトの生成と観察
Observation and creation of current leakage sites in ultrathin silicon dioxide films using scanning tunneling microscopy.
WATANABE H
(Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP))
,
FUJITA K
(Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP))
,
ICHIKAWA M
(Angstrom Technol. Partnership(JRCAT-ATP))
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 72 号： 16 ページ： 1987-1989 発行年： 1998年04月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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