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著者 (5件)：
資料名：
巻： 218 号： 1 ページ： 89-92 発行年： 2000年03月01日
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902153797117105
整理番号：00A0422560
ポリSi MOS反転層においてゲート電圧を高くしたときホッピング輸送から拡散輸送へのクロスオーバ
Crossover from Hopping to Diffusive Transport with Increasing Gate Voltage in Poly-Si MOS Inversion Layer.
ISHIDA S
(Sci. Univ. Tokyo in Yamaguchi, Yamaguchi, JPN)
,
OTO K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAKAOKA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MURASE K
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SERIKAWA T
(NTT Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Physica Status Solidi. B. Basic Research
(Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 218 号： 1 ページ： 89-92 発行年： 2000年03月01日
JST資料番号： C0599A ISSN： 0370-1972 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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